-
Lengan Robot Seramik Alumina Ketulenan Tinggi untuk Pengendalian Wafer
Lengan robot seramik alumina St.Cera direka bentuk dengan ketepatan daripada 99.8% Al₂O₃ (alumina) berketulenan tinggi. Ia menggabungkan kekuatan lenturan yang luar biasa (361 MPa), kekerasan tinggi (16 GPa), dan ketumpatan rendah (3.93 g/cm³), menghasilkan lengan yang ringan namun tegar untuk pemindahan wafer semikonduktor. Pekali pengembangan haba bahan (7.2×10⁻⁶/°C) sepadan dengan silikon, meminimumkan ketidakpadanan haba semasa pemprosesan.
-
Efektor Hujung Seramik Bernoulli — Pengendalian Wafer Tanpa Sentuhan untuk Wafer Nipis & Rapuh
Efektor hujung seramik Bernoulli St.Cera menggunakan daya angkat aerodinamik untuk mengendalikan wafer tanpa sentuhan fizikal. Diperbuat daripada alumina (Al₂O₃) atau silikon karbida (SiC) 99.8% ketulenan tinggi, ia mempunyai muncung mesin jitu yang mengeluarkan gas bertekanan untuk menghasilkan filem udara nipis antara efektor hujung dan wafer. Prinsip tanpa sentuhan ini menghapuskan pencemaran bahagian belakang, keretakan tepi dan kerosakan permukaan, menjadikannya sesuai untuk wafer nipis (≤100 μm), rapuh atau melengkung. Substrat seramik memberikan kekuatan lenturan yang tinggi (361 MPa untuk Al₂O₃; sehingga 550–600 MPa untuk SiC), jisim rendah dan kestabilan dimensi yang sangat baik, memastikan kedudukan berulang dalam robot pemindahan wafer berkelajuan tinggi.
-
Efektor Hujung Seramik Bersalut Teflon – Permukaan Tidak Melekat untuk Pengendalian Wafer Sensitif
Efektor hujung seramik bersalut Teflon (PTFE) St.Cera menggabungkan substrat alumina berkekuatan tinggi dengan salutan PTFE geseran rendah yang seragam (ketebalan 15–30 μm). Salutan ini memberikan pekali geseran yang sangat rendah (≤0.1), rintangan kimia yang sangat baik dan sifat tidak melekat, mencegah lekatan wafer dan menghapuskan pencemaran bahagian belakang. Substrat seramik di bawahnya (99.8% Al₂O₃) menawarkan kekuatan lenturan yang tinggi (361–1000 MPa), rintangan haus dan kestabilan haba sehingga 260°C (had salutan). Efektor hujung ini sesuai untuk mengendalikan wafer yang halus, nipis atau melekit (contohnya, selepas salutan fotoresis atau proses kimia).
